♦ Alumina (Al2O3)
Bagéan keramik tliti sing diprodhuksi klompok manufaktur cerdas ZHONGHUI (Zhhimg) bisa digawe saka bahan mentah keramik sing dhuwur, 92 ~ 97%, 99.5% alumina, lan cip isostatic. Sintering suhu lan mesin tliti, kanthi akurasi dimensi saka ± 0,001mm, lancar nganti ra0.1, nggunakake suhu nganti 1600 derajat. Werna keramik sing beda-beda bisa digawe miturut syarat-syarat pelanggan, kayata: Ireng, Beige, Abang, Delang, lan bisa digunakake kanggo wektu sing dhuwur, lan bisa digunakake kanggo wektu sing dhuwur, lan bisa digunakake lan lingkungan gas.
Digunakake kanthi akeh ing macem-macem peralatan produksi semikonduktor: bingkai (kurung keramik), substrate (basa), arm / jembatan (manipulator mekanik lan bantalan udara keramik.
| Jeneng Produk | Kemurnian tinggi 99 TUBE Square Ceramik Alumina Alumina / Rod | |||||
| Indeks | Unit | 85% al2o3 | 95% Al2o3 | 99% Al2o3 | 99.5% al2o3 | |
| Kapadhetan | g / cm3 | 3.3 | 3.65 | 3.8 | 3.9 | |
| Penyerapan banyu | % | <0.1 | <0.1 | 0 | 0 | |
| Suhu sedhih | ℃ | 1620 | 1650 | 1800 | 1800 | |
| Hardness | Mohs | 7 | 9 | 9 | 9 | |
| Kekuwatan mbengkong (20 ℃)) | MPA | 200 | 300 | 340 | 360 | |
| Kekuwatan kompresif | KGF / CM2 | 10000 | 25000 | 30000 | 30000 | |
| Suhu suwe kerja | ℃ | 1350 | 1400 | 1600 | 1650 | |
| Max. Suhu | ℃ | 1450 | 1600 | 1800 | 1800 | |
| Tolak volume | 20 ℃ | Ω. CM3 | > 1013 | > 1013 | > 1013 | > 1013 |
| 100 ℃ | 1012-1013 | 1012-1013 | 1012-1013 | 1012-1013 | ||
| 300 ℃ | > 109 | > 1010 | > 1012 | > 1012 | ||
Aplikasi saka keramik Alumina sing dhuwur:
1. Applied menyang peralatan semikonduktor: Chuck keramik keramik, nglereni disk, ceramah cakram, chuck keramik.
2 .. Perbrangan Wefer: Bagéan transfer wafer: wafer nangani anak, cakram pemotong wafer, cakram ngresiki wafer, WAFER EPTRAFT INPEKTIKE CUP
3 .. LED / LCD Tampilan Industri Flat / LCD: Nozzle Keramik, Disc Grinding Keramik, PIN, Pin Rail.
4. Komunikasi optik, industri solar: tabung keramik, rod keramik, papan sirkuit layar percetakan keramik scraper.
5. Tahan panas lan nandur kanthi listrik bagean: bantalan keramik.
Saiki, keramik oksida aluminium bisa dipérang dadi kesucian lan keramik umum. Seri keramik oksida aluminium dhuwur nuduhake materi keramik sing ngemot luwih saka 99,9%. Amarga suhu suhu nganti 1650 - 1990 ° C lan gelombang transmisi 1 ~ 6μm, sing biasane bisa digunakake minangka tabung sodium lan resistensi karat kanggo logam alkali. Ing industri elektronik, bisa digunakake minangka bahan insulasi frekuensi tinggi kanggo substrat IC. Miturut macem-macem isi oksida aluminium, seri keramik oksida sing umum bisa dipérang dadi 99 keramik, 90 keramik lan 85 keramik. Kadhangkala, keramik kanthi 80% utawa 75% oksida aluminium uga diklasifikasikake minangka seri keramik oksida umum. Antarane, 99 Bahan keramik oksida 99 digunakake kanggo ngasilake suhu tungku sing dhuwur, tabung tungku fireproof lan bahan tahan sandhangan khusus, kayata bantalan keramik, segel keramik lan piring katup. 95 Keramik aluminium utamane digunakake minangka bagean sing nyandhang korosi-tahan karat. 85 keramik asring dicampur ing sawetara sifat, saéngga ningkatake kinerja listrik lan kekuatan mekanik. Bisa nggunakake Molybdenum, Niobium, Tantalum lan segel logam liyane, lan ana sing digunakake minangka piranti vakum listrik.
| Barang Kualitas (Wakil Nilai) | Jeneng Produk | AES-12 | AES-11 | AES-11C | AES-11F | AES-22S | AES-23 | Al-31-03 | |
| Komposisi kimia komposisi produk sodium Gampang | H₂o | % | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 |
| Lol | % | 0.1 | 0,2 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | |
| FE₂0₃ | % | 0,01 | 0,01 | 0,01 | 0,01 | 0,01 | 0,01 | 0,01 | |
| Sio₂ | % | 0,03 | 0,03 | 0,03 | 0,03 | 0,02 | 0,04 | 0,04 | |
| NA₂O | % | 0,04 | 0,04 | 0,04 | 0,04 | 0,02 | 0,04 | 0,03 | |
| MgO * | % | - | 0.11 | 0,05 | 0,05 | - | - | - | |
| Al₂0₃ | % | 99.9 | 99.9 | 99.9 | 99.9 | 99.9 | 99.9 | 99.9 | |
| Diameter partikel partikel (MT-3300, metode analisis laser) | μm | 0.44 | 0.43 | 0.39 | 0.47 | 1.1 | 2.2 | 3 | |
| α Ukuran Crystal | μm | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 ~ 1.0 | 0,3 ~ 4 | 0,3 ~ 4 | |
| Mbentuk kapadhetan ** | g / cm³ | 2.22 | 2.22 | 2.2 | 2.17 | 2.35 | 2.57 | 2.56 | |
| Kapadhetan sinteritas ** | g / cm³ | 3.88 | 3.93 | 3.94 | 3.93 | 3.88 | 3.77 | 3.22 | |
| Tingkat Suda Line Sintering ** | % | 17 | 17 | 18 | 18 | 15 | 12 | 7 | |
* MgO ora kalebu ing pitungan kesucian saka Al₂o₃.
* Ora ana bubuk skala 29.4MPA (300kg / cm²), suhu sintering 1600 ° C.
AES-11 / 11C / 11F: Tambah 0.05 ~ 0.1% MgO, sinterebility banget, saengga bisa ditrapake kanggo keramik oksida aluminium kanthi luwih saka 99%.
AES-22S: Ditondoi kanthi kapadhetan sing paling dhuwur lan tingkat nyusut garis sinter, bisa ditrapake kanggo nyemprotake komplek lan produk gedhe liyane kanthi akurasi dimensi sing dibutuhake.
AES-23 / AES-31-03: Nduwe kapadhetan sing luwih dhuwur, thixotropy lan viskositas ngisor tinimbang AES-22S. Tilas digunakake kanggo keramik nalika sing terakhir digunakake minangka banyu suda kanggo bahan fireproof, entuk popularitas.
♦ Karakter Silicon Carbide (SIC)
| Karakteristik Umum | Kemurnian komponen utama (WT%) | 97 | |
| Werna | Ireng | ||
| Kapadhetan (g / cm³) | 3.1 | ||
| Penyerapan banyu (%) | 0 | ||
| Karakter Mekanikal | Kekuwatan Fleksibal (MPA) | 400 | |
| Modulus enom (GPA) | 400 | ||
| Hardness (GPA) | 20 | ||
| Karakteristik termal | Suhu operasi maksimal (° C) | 1600 | |
| Koefision ekspansi termal | RT ~ 500 ° C | 3.9 | |
| (1 / ° C X 10-6) | RT ~ 800 ° C | 4.3 | |
| Konduktivitas termal (w / m x k) | 130 110 | ||
| Rintangan kejut termal Δt (° C) | 300 | ||
| Karakteristik Listrik | Tolak volume | 25 ° C | 3 x 106 |
| 300 ° C | - | ||
| 500 ° C | - | ||
| 800 ° C | - | ||
| Konstantasi dielektrik | 10Ghz | - | |
| Mundhut Dielektrik (X 10-4) | - | ||
| Q Factor (X 104) | - | ||
| Voltase breaklectrik voltase (kv / mm) | - | ||
♦ Keramik Nitride Silikon
| Bahan | Unit | Si₃n₄ |
| Cara Sintering | - | Tekanan gas sinter |
| Kapadhetan | g / cm³ | 3.22 |
| Werna | - | Grey Grey |
| Tingkat Penyerapan Banyu | % | 0 |
| Modulus enom | GPA | 290 |
| Hardness | GPA | 18 - 20 |
| Kekuwatan kompresif | MPA | 2200 |
| Kekuwatan mbengkongake | MPA | 650 |
| Konduktivitas termal | W / mk | 25 |
| Rintangan kejut termal | Δ (° C) | 450 - 650 |
| Suhu operasi maksimal | ° C | 1200 |
| Tolak volume | · · Cm | > 10 ^ 14 |
| Konstantasi dielektrik | - | 8.2 |
| Kekuwatan dielektrik | kv / mm | 16 |